Описание
In Snapdragon (Mobile, Wear) in version MDM9206, MDM9607, MDM9635M, MDM9640, MDM9645, MDM9655, MSM8909W, MSM8996AU, SD 210/SD 212/SD 205, SD 410/12, SD 425, SD 427, SD 430, SD 435, SD 450, SD 615/16/SD 415, SD 617, SD 625, SD 650/52, SD 810, SD 820, SD 835, Snapdragon_High_Med_2016, a double free of ASN1 heap memory used for EUTRA CAP container occurs during UTRAN to LTE Capability inquiry procedure.
Ссылки
- Third Party Advisory
- Third Party Advisory
Уязвимые конфигурации
Одновременно
Одновременно
Одновременно
Одновременно
Одновременно
Одновременно
Одновременно
Одновременно
Одновременно
Одновременно
Одновременно
Одновременно
Одновременно
Одновременно
Одновременно
Одновременно
Одновременно
Одновременно
Одновременно
Одновременно
Одновременно
Одновременно
Одновременно
Одновременно
Одновременно
Одновременно
Одновременно
Одновременно
EPSS
8.8 High
CVSS3
8.3 High
CVSS2
Дефекты
Связанные уязвимости
In Snapdragon (Mobile, Wear) in version MDM9206, MDM9607, MDM9635M, MDM9640, MDM9645, MDM9655, MSM8909W, MSM8996AU, SD 210/SD 212/SD 205, SD 410/12, SD 425, SD 427, SD 430, SD 435, SD 450, SD 615/16/SD 415, SD 617, SD 625, SD 650/52, SD 810, SD 820, SD 835, Snapdragon_High_Med_2016, a double free of ASN1 heap memory used for EUTRA CAP container occurs during UTRAN to LTE Capability inquiry procedure.
EPSS
8.8 High
CVSS3
8.3 High
CVSS2